参数资料
型号: IDT70T653MS15BC8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 4/24页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 18MBIT 15NS 256BGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 18M(512K x 36)
速度: 15ns
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(17x17)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70T653MS15BC8
IDT70T653M
High-Speed 2.5V 512K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Names
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Left Port
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
A 0L - A 18L
I/O 0L - I/O 35L
SEM L
INT L
BUSY L
BE 0L - BE 3L
Right Port
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
A 0R - A 18R
I/O 0R - I/O 35R
SEM R
INT R
BUSY R
BE 0R - BE 3R
Names
Chip Enables (Input)
Read/Write Enable (Input)
Output Enable (Input)
Address (Input)
Data Input/Output
Semaphore Enable (Input)
Interrupt Flag (Output)
Busy Input
Byte Enables (9-bit bytes) (Input)
V DDQL
OPT L
ZZ L
V DD
V SS
TDI
TDO
TCK
TMS
TRST
V DDQR
OPT R
ZZ R
Power (I/O Bus) (3.3V or 2.5V) (1) (Input)
Option for selecting V DDQX (1,2) (Input)
Sleep Mode Pin (3) (Input)
Power (2.5V) (1) (Input)
Ground (0V) (Input)
Test Data Input
Test Data Output
Test Logic Clock (10MHz) (Input)
Test Mode Select (Input)
Reset (Initialize TAP Controller) (Input)
NOTES:
1. V DD , OPT X , and V DDQX must be set to appropriate operating levels prior to
applying inputs on I/O X .
2. OPT X selects the operating voltage levels for the I/Os and controls on that port.
If OPT X is set to V DD (2.5V), then that port's I/Os and controls will operate at 3.3V
levels and V DDQX must be supplied at 3.3V. If OPT X is set to V SS (0V), then that
port's I/Os and controls will operate at 2.5V levels and V DDQX must be supplied
at 2.5V. The OPT pins are independent of one another—both ports can operate
at 3.3V levels, both can operate at 2.5V levels, or either can operate at 3.3V
with the other at 2.5V.
3. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when
asserted. OPTx, INT x and the sleep mode pins themselves (ZZx) are not
affected during sleep mode. It is recommended that boundry scan not be operated
during sleep mode.
5679 tbl 01
4
相关PDF资料
PDF描述
MPC8544AVTANG IC MPU POWERQUICC III 783-FCBGA
1-1734798-2 CONN HOUSING FPC 12POS R/A SMD
IDT70T3539MS133BC8 IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA
1-2013928-4 CONN FPC 37POS .3MM FLIP LOC SMD
IDT70V5388S133BC8 IC SRAM 1.125MBIT 133MHZ 256BGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70T659S10BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T659S10BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T659S10BCI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T659S10BCI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T659S10BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)