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参数资料
| 型号： | IDT70V26L35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-BPGA |
| 供应商设备封装： | 84-PGA（27.94x27.94） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V26L35G |
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Semaphore Read after Write Timing, Either Side (1)
t SAA
t OH
A 0 -A 2
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
t AW
t EW
t WR
t AC E
SEM
t SOP
t DW
I/O 0
DATA IN
VALID
DATA OUT
VALID (2)
R/ W
OE
t AS
t WP
t DH
t SWRD
t AOE
Write Cycle
Read Cycle
2945 drw 10
,
NOTES:
1. CE = V IH or UB & LB = V IH for the duration of the above timing (both write and read cycle).
2. "DATA OUT VALID' represents all I/O's (I/O 0 -I/O 15 ) equal to the semaphore value.
Timing Waveform of Semaphore Write Contention (1,3,4)
A 0"A" -A 2"A"
MATCH
SIDE
(2)
SIDE
(2)
"A"
"B"
R/ W "A"
SEM "A"
A 0"B" -A 2"B"
R/ W "B"
MATCH
t SPS
SEM "B"
2945 drw 11
,
NOTES:
1. D OR = D OL = V IL , CE R = CE L = V IH , or both UB & LB = V IH .
2. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
3. This parameter is measured from R/ W " A" or SEM " A" going HIGH to R/ W " B" or SEM " B" going HIGH.
4. If t SPS is not satisfied, the semaphore will fall positively to one side or the other, but there is no guarantee which side will obtain the flag.
10
6.42
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