参数资料
型号: IDT70V26L35G
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA
标准包装: 3
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 256K(16K x 16)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 84-BPGA
供应商设备封装: 84-PGA(27.94x27.94)
包装: 托盘
其它名称: 70V26L35G
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (1,2,3) (con't.)
07/21/03
Industrial and Commercial Temperature Ranges
63
61
60
58
55
54
51
48
46
45
42
11
10
I/O 7L
66
I/O 10L
I/O 5L
64
I/O 8L
I/O 4L
62
I/O 6L
I/O 2L
59
I/O 3L
I/O 0L
56
I/O 1L
OE L
49
UB L
SEM L
50
CE L
LB L
47
A 13L
A 12L
44
A 10L
A 11L
43
A 9L
A 8L
40
A 6L
67
65
57
53
52
41
39
09
I/O 11L
I/O 9L
V SS
V DD
R/ W L
A 7L
A 5L
69
68
38
37
08
I/O 13L
I/O 12L
A 4L
A 3L
72
71
73
33
35
34
07
I/O 15L
I/O 14L
V DD
BUSY L
A 1L
A 0L
IDT70V26G
75
70
74
G84-3 (4)
32
31
36
06
05
I/O 0R
76
I/O 1R
V SS
77
I/O 2R
V SS
78
V DD
84-Pin PGA
Top View (5)
V SS
28
A 1R
M/ S
29
A 0R
A 2L
30
BUSY R
79
80
26
27
04
I/O 3R
I/O 4R
A 3R
A 2R
81
83
7
11
12
23
25
03
I/O 5R
I/O 7R
V SS
V SS
SEM R
A 6R
A 4R
82
1
2
5
8
10
14
17
20
22
24
02
01
I/O 6R
84
I/O 8R
I/O 9R
3
I/O 11R
I/O 10R
4
I/O 12R
I/O 13R
6
I/O 14R
I/O 15R
9
OE R
R/ W R
15
LB R
UB R
13
CE R
A 12R
16
A 13R
A 9R
18
A 11R
A 7R
19
A 10R
A 5R
21
A 8R
,
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
Index
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to power supply.
2. All V SS pins must be connected to ground supply.
3. Package body is approximately 1.12 in x 1.12 in x .16 in.
Pin Names
2945 drw 03
4. This package code is used to reference the package diagram.
Left Port
Right Port
Names
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
CE L
R/ W L
OE L
A 0L - A 13L
I/O 0L - I/O 15L
SEM L
UB L
LB L
BUSY L
CE R
R/ W R
OE R
A 0R - A 13R
I/O 0R - I/O 15R
SEM R
UB R
LB R
BUSY R
M/ S
V DD
V SS
Chip Enable
Read/Write Enable
Output Enable
Address
Data Input/Output
Semaphore Enable
Upper Byte Select
Lower Byte Select
Busy Flag
Master or Slave Select
Power (3.3V)
Ground (0V)
2945 tbl 01
3
6.42
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PDF描述
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