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参数资料
| 型号： | IDT70V26L35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-BPGA |
| 供应商设备封装： | 84-PGA（27.94x27.94） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V26L35G |
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Description
The IDT70V26 is a high-speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM. The
IDT70V26 is designed to be used as a stand-alone 256K-bit Dual-Port
RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 32-bit-or-
more word systems. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM
approach in 32-bit or wider memory system applications results in full-
speed, error-free operation without the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
Pin Configurations (1,2,3)
07/21/03
INDEX
Industrial and Commercial Temperature Ranges
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by CE permits the on-chip circuitry of each port to enter
a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 300mW of power.
The IDT70V26 is packaged in a ceramic 84-pin PGA and
84-Pin PLCC.
11 10 9 8 7 6
5 4
3 2 1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
I/O 8L
I/O 9L
I/O 10L
I/O 11L
I/O 12L
I/O 13L
V SS
I/O 14L
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70
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A 8L
A 7L
A 6L
A 5L
A 4L
A 3L
A 2L
A 1L
I/O 15L
V DD
V SS
I/O 0R
I/O 1R
I/O 2R
V DD
I/O 3R
I/O 4R
I/O 5R
I/O 6R
I/O 7R
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26
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28
29
30
31
IDT70V26J
J84-1 (4)
84-Pin PLCC
Top View (5)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
A 0L
BUSY L
V SS
M/ S
BUSY R
A 0R
A 1R
A 2R
A 3R
A 4R
A 5R
A 6R
I/O 8R
32 54
33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
A 7R
,
2945 drw 02
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to power supply.
2. All V SS pins must be connected to ground supply.
3. Package body is approximately 1.15 in x 1.15 in x .17 in.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
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| IDT70V26L55J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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