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参数资料
| 型号： | IDT70V26L35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-BPGA |
| 供应商设备封装： | 84-PGA（27.94x27.94） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V26L35G |
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
Unit
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1)
& Industrial
Grade
Ambient Temperature
GND
V DD
V TERM
(2)
Terminal Voltage
with Respect to GND
-0.5 to +4.6
V
Commercial
0 O C to +70 O C
0V
3.3V + 0.3
T BIAS
Temperature Under Bias
-55 to +125
o
C
Industrial
-40 O C to +85 O C
0V
3.3V + 0.3
2945 tbl 05
T STG
T JN
Storage Temperature
Junction Temperature
-65 to +150
+150
o
o
C
C
NOTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
I OUT
NOTES:
DC Output Current
50
mA
2945 tbl 04
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
Recommended DC Operating
Conditions (2)
Symbol Parameter Min. Typ. Max.
Unit
V DD + 0.3
-0.3
2. V TERM must not exceed V DD + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V DD + 0.3V.
3. Ambient Temperature Under Bias. No AC Conditions. Chip Deselected.
Capacitance (1) (T A = +25°C, f = 1.0MHz)
V DD
V SS
V IH
V IL
NOTES:
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
3.0
0
2.0
(1)
3.3
0
____
____
3.6
0
0.8
(2)
V
V
V
V
2945 tbl 06
Symbol
Parameter
Conditions (2)
Max.
Unit
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed V DD + 0.3V.
C IN
C OUT
Input Capacitance
Output Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
9
10
pF
pF
2945 tbl 07
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V26S
70V26L
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = 3.6V, V IN = 0V t o V DD
CE = V IH , V OUT = 0V t o V DD
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V DD < 2.0V, input leakages are undefined.
5
6.42
2945 tbl 08
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