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参数资料
| 型号： | IRF614STRL |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IRF614STRL |
Document Number: 91026
www.vishay.com
S11-1063-Rev. C, 30-May-11
3
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IRF614S, SiHF614S
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, TC = 25 °C
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, TC = 150 °C
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
91026_01
Bottom
Top
V
GS
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
20 s Pulse Width
T
C = 25 °C
4.5 V
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
I D
,Dr
ain
Current
(A)
100
101
100
10-1
10-2
10-1
100
10-1
100
101
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
I D
,Dr
ain
Current
(A)
4.5 V
Bottom
Top
V
GS
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
20 s Pulse Width
T
C = 150 °C
91026_02
10-2
10-1
20 s Pulse Width
V
DS = 50 V
100
10-1
I D
,Dr
ain
Current
(A)
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
56
7
8
910
4
25
°C
150
°C
91026_03
10-2
I
D = 2.7 A
V
GS = 10 V
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS(on)
,Dr
ain-to-Source
On
Resistance
(Nor
maliz
ed)
91026_04
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6218PBF | 27 A, 150 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF730ASTRRPBF | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF7341IPBF | 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF614STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRF615 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB |
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