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参数资料
| 型号： | IRF614STRL |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IRF614STRL |
Document Number: 91026
www.vishay.com
S11-1063-Rev. C, 30-May-11
5
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IRF614S, SiHF614S
Vishay Siliconix
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
I D
,Dr
ain
Current
(A)
TC, Case Temperature (°C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
25
150
125
100
75
50
91026_09
3.0
Pulse width
≤ 1 s
Duty factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
g
D.U.T.
10 V
+
-
V
DS
V
DD
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10
1
0.1
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
0.1
1
10
P
DM
t
1
t
2
t1, Rectangular Pulse Duration (s)
Ther
mal
Response
(Z
thJC
)
Notes:
1. Duty Factor, D = t
1/t2
2. Peak T
j = PDM x ZthJC + TC
Single Pulse
(Thermal Response)
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
91026_11
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