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参数资料
| 型号： | IRF614STRL |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IRF614STRL |
www.vishay.com
Document Number: 91026
6
S11-1063-Rev. C, 30-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
IRF614S, SiHF614S
Vishay Siliconix
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Rg
IAS
0.01
Ω
tp
D.U.T
L
V
DS
+
-
V
DD
10 V
Vary tp to obtain
required IAS
IAS
VDS
VDD
VDS
tp
140
0
40
60
80
100
120
25
150
125
100
75
50
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
E
AS
,Single
Pulse
Energy
(mJ)
Bottom
Top
I
D
1.2 A
1.7 A
2.7 A
V
DD = 50 V
91026_12c
20
Q
GS
Q
GD
Q
G
VG
Charge
10 V
D.U.T.
3 mA
V
GS
V
DS
I
G
I
D
0.3 F
0.2 F
50 k
Ω
12 V
Current regulator
Current sampling resistors
Same type as D.U.T.
+
-
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