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参数资料
| 型号： | IRF614STRL |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IRF614STRL |
Document Number: 91026
www.vishay.com
S11-1063-Rev. C, 30-May-11
7
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IRF614S, SiHF614S
Vishay Siliconix
Fig. 14 - For N-Channel
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?91026.
P.W.
Period
dI/dt
Diode recovery
dV/dt
Ripple
≤ 5 %
Body diode forward drop
Re-applied
voltage
Reverse
recovery
current
Body diode forward
current
V
GS = 10 V
a
I
SD
Driver gate drive
D.U.T. l
SD waveform
D.U.T. V
DS waveform
Inductor current
D =
P.W.
Period
+
-
+
-
Peak Diode Recovery dV/dt Test Circuit
V
DD
dV/dt controlled by R
g
Driver same type as D.U.T.
I
SD controlled by duty factor “D”
D.U.T. - device under test
D.U.T.
Circuit layout considerations
Low stray inductance
Ground plane
Low leakage inductance
current transformer
R
g
Note
a. V
GS = 5 V for logic level devices
V
DD
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