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参数资料
| 型号： | IRF614STRL |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IRF614STRL |
www.vishay.com
Document Number: 91026
4
S11-1063-Rev. C, 30-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
IRF614S, SiHF614S
Vishay Siliconix
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
300
250
200
150
0
50
100
100
101
Capacitance
(pF)
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
C
iss
C
rss
C
oss
V
GS = 0 V, f = 1 MHz
C
iss = Cgs + Cgd, Cds Shorted
C
rss = Cgd
C
oss = Cds + Cgd
91026_05
QG, Total Gate Charge (nC)
V
GS
,Gate-to-Source
V
o
ltage
(V)
20
16
12
8
0
4
0
28
6
4
I
D = 2.7 A
V
DS = 50 V
V
DS = 125 V
For test circuit
see figure 13
V
DS = 200 V
91026_06
101
100
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
I SD
,Re
v
erse
Dr
ain
Current
(A)
0.5
1.3
1.1
0.9
0.7
25
°C
150
°C
V
GS = 0 V
91026_07
1.5
100 s
1 ms
10 ms
Operation in this area limited
by R
DS(on)
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
I D
,Dr
ain
Current
(A)
T
C = 25 °C
T
J = 150 °C
Single Pulse
102
2
5
0.1
1
2
5
10
2
5
25
110
25
102
25
103
91026_08
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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