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参数资料
| 型号： | IRF6644TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.8V @ 150µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MN |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6644
100
100
6.0V
10
6.0V
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 4. Typical Output Characteristics
100.00
2.0
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Output Characteristics
10.00
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
I D = 10.3A
VGS = 10V
1.5
1.00
0.10
VDS = 10V
≤ 60μs PULSE WIDTH
1.0
0.01
3.0 4.0 5.0 6.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 6. Typical Transfer Characteristics
7.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature
100000
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
20
16
ID= 6.2A
VDS = 50V
VDS= 20V
Ciss
12
1000
100
Coss
Crss
8
4
10
1
10
100
0
0
20
40
60
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
4
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 9. Typical Total Gate Charge vs
Gate-to-Source Voltage
www.irf.com
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PDF描述 |
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| IRF6645PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET |
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