参数资料
型号: IRF6644TR1
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
产品变化通告: (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012
标准包装: 1,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫欧 @ 10.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.8V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 25V
功率 - 最大: 2.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DirectFET? 等容 MN
供应商设备封装: DIRECTFET? MN
包装: 带卷 (TR)
IRF6644
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Vds
Id
12V
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
Vgs
- DS
V GS
3mA
D.U.T.
+
V
V gs(th)
I G I D
Current Sampling Resistors
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 15a. Gate Charge Test Circuit
15V
Fig 15b. Gate Charge Waveform
V (BR)DSS
tp
VDS
L
DRIVER
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
I AS
Fig 16b. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 16c. Unclamped Inductive Waveforms
- V DD
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
V DS
90%
10%
V GS
10V
Pulse Width ≤ 1 μs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Duty Factor ≤ 0.1 %
6
Fig 17a. Switching Time Test Circuit
Fig 17b. Switching Time Waveforms
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PDF描述
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IRF6644TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 60A 13mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6644TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6644TRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6645 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6645PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET