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参数资料
| 型号： | IRF6644TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.8V @ 150µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MN |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6644
DirectFET ? Outline Dimension, MN Outline
(Medium Size Can, N-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
NOTE: CONTROLLING
DIMENSIONS ARE IN MM
CODE MIN
A 6.25
B 4.80
MAX
6.35
5.05
MIN
0.246
0.189
MAX
0.250
0.201
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
3.85
0.35
0.88
0.78
1.38
0.88
0.48
1.16
2.74
0.59
0.03
0.08
3.95
0.45
0.92
0.82
1.42
0.92
0.52
1.29
2.91
0.70
0.08
0.17
0.152
0.014
0.034
0.031
0.054
0.034
0.019
0.046
0.109
0.023
0.001
0.003
0.156
0.018
0.036
0.032
0.056
0.036
0.020
0.051
0.115
0.028
0.003
0.007
DirectFET ? Part Marking
8
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF6644TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6644TRPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6645 | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6645PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET |
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