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参数资料
| 型号： | IRF730AS |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | IRF730AS |
IRF730AS/LPbF
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d. Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
,Si
ngl
ePul
se
Aval
anche
Ener
gy
(
m
J)
J
AS
°
ID
TOP
BOTTOM
2.5A
3.5A
5.5A
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IAV , Avalanche Current ( A)
540
550
560
570
580
590
600
610
V
D
S
av
,A
va
la
nc
he
V
ol
ta
ge
(
V
)
Document Number: 91046
www.vishay.com
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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