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参数资料
| 型号： | IRF730AS |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | IRF730AS |
IRF730AS/LPbF
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
-
Fig 14. For N-Channel HEXFETS
* VGS = 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Document Number: 91046
www.vishay.com
7
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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