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参数资料
| 型号： | IRF9530NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF9530NS |
IRF9530NS/L
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-100
–––
––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
-0.11
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = -1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.20
?
V GS = -10V, I D = -8.4A ?
––– R G = 9.1 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
-2.0
3.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
58
45
46
-4.0 V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -50V, I D = -8.4A ?
-25 V DS = -100V, V GS = 0V
μA
-250 V DS = -80V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
58 I D = -8.4A
8.3 nC V DS = -80V
32 V GS = -10V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = -50V
––– I D = -8.4A
ns
––– R D = 6.2 ?, See Fig. 10 ?
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
760
260
170
––– V GS = 0V
––– pF V DS = -25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
-14
-56
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– –––
-1.6 V T J = 25°C, I S = -8.4A, V GS = 0V ?
t rr
Q rr
t on
Notes:
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– 130 190 ns T J = 25°C, I F = -8.4A
––– 650 970 nC di/dt = -100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Starting T J = 25°C, L =7.0mH
R G = 25 ? , I AS = -8.4A. (See Figure 12)
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRF9530N data and test conditions
? I SD ≤ -8.4A, di/dt ≤ -490A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF9530NSL | 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:HEXFET?? Power MOSFET |
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| IRF9530NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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