参数资料
型号: IRF9530NS
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 8.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 760pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRF9530NS
IRF9530NS/L
2000
1600
V GS
C iss
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1 M H z
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C g d
20
I D = -8.4A
V DS = -80V
V DS = -50V
V DS = -20V
15
1200
800
C iss
C oss
10
C rss
5
400
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
SEE FIGURE 13
40     50
60
100
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 15 0°C
10
1
T J = 2 5°C
100
10
10us
100us
1ms
0.1
V G S = 0 V
A
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10ms
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
1000
-V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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PDF描述
IRF9520NS MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
AT4022JG CAP INSERT RECT CLR/BLUE KB SER
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IRF7811ATR MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
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