参数资料
型号: IRF9530NS
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 8.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 760pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRF9530NS
IRF9530NS/L
100
10
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
100
10
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
-4.5V
1
-4 .5V
1
T c = 25°C
T T C J = = 1 75 °C
0.1
0.1
1
20 μ s P U L S E W ID TH
10 100
A
0.1
0.1
1
2 0μ s P U LS E W ID TH
175°C
10 100
A
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
2.5
I D = -14A
2.0
T J = 2 5 °C
10
T J = 1 7 5 °C
1.5
1.0
1
0.5
V DS = -5 0 V
0.1
4
5
6
7
2 0μ s P U L S E W ID TH
8 9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
V GS = -10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( C)
-V G S , Ga te -to-Source Volta ge (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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PDF描述
IRF9520NS MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
AT4022JG CAP INSERT RECT CLR/BLUE KB SER
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