参数资料
型号: IRF9530NS
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 8.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 760pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRF9530NS
IRF9530NS/L
14
12
10
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
V DD
8
6
4
-10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
2
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS
0
10%
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( ° C)
90%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
V DS
Case Temperature
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
1
D = 0 .5 0
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
P D M
0.1
0 .0 2
0 .0 1
S IN G L E P U L S E
(T H E R M A L R E S P O N S E )
N o te s:
t
1
t
2
1 . D u ty fa c to r D = t
1
/ t
2
0.01
2. P e a k T J = P D M x Z th JC + T C
A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , R e c ta n g ula r P u lse D u ratio n (s e c )
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
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PDF描述
IRF9520NS MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
AT4022JG CAP INSERT RECT CLR/BLUE KB SER
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