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参数资料
| 型号： | IRF9530NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF9530NS |
IRF9530NS/L
Package Outline
TO-262 Outline
Part Marking Information
TO-262
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9520NS | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK |
| AT4022JG | CAP INSERT RECT CLR/BLUE KB SER |
| IRF9410 | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| IRF7811A | MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC |
| IRF7811ATR | MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9530NSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF9530NSL | 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:HEXFET?? Power MOSFET |
| IRF9530NSPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9530NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 14A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF9530NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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