参数资料
型号: IRF9530NS
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 8.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 760pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRF9530NS
IRF9530NS/L
VDS
L
700
TOP
I D
-3.4A
600
-5.9A
RG
-2 0 V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
D R IV E R
VD D
A
500
400
BOTTOM -8.4A
300
15V
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
200
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature ( C)
I AS
°
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
tp
V (BR)DSS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
-10V
V G
Q GS
Q G
Q GD
12V
V GS
.2 μ F
.3 μ F
-3mA
D.U.T.
V DS
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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PDF描述
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