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参数资料
| 型号： | IRLML6402TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 633pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6402TR IRLML6402 IRLML6402-ND IRLML6402CT |
IRLML6402
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-20
––– ––– V V GS = 0V, I D = -250 μ A
Δ V (BR)DSS / Δ T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
-0.009 –––
V/°C
Reference to 25°C, I D = -1mA ?
Ω
μA
nA
ns
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
-0.40
6.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.050 0.065 V GS = -4.5V, I D = -3.7A ?
0.080 0.135 V GS = -2.5V, I D = -3.1A ?
-0.55 -1.2 V V DS = V GS , I D = -250 μ A
––– ––– S V DS = -10V, I D = -3.7A ?
––– -1.0 V DS = -20V, V GS = 0V
––– -25 V DS = -20V, V GS = 0V, T J = 70°C
––– -100 V GS = -12V
––– 100 V GS = 12V
8.0 12 I D = -3.7A
1.2 1.8 nC V DS = -10V
2.8 4.2 V GS = -5.0V ?
350 ––– V DD = -10V
48 ––– I D = -3.7A
588 ––– R G = 89 Ω
381 ––– R D = 2.7 Ω
633 ––– V GS = 0V
145 ––– pF V DS = -10V
110 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
-1.3
-22
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
29
11
-1.2
43
17
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -1.0A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = -1.0A
di/dt = -100A/ μ s ?
?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 400 μ s; duty cycle ≤ 2%.
? Surface mounted on 1" square single layer 1oz. copper FR4 board,
steady state.
? Starting T J = 25°C, L = 1.65mH
R G = 25 Ω , I AS = -3.7A.
** For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
2
www.irf.com
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参数描述 |
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| IRLML9301TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V -3.6 A SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL, MOSFET, -30V, -3.6 A, SOT-23 |
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