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参数资料
| 型号： | IRLML6402TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 633pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6402TR IRLML6402 IRLML6402-ND IRLML6402CT |
IRLML6402
0.14
0.12
0.20
0.16
VGS = -2.5V
0.10
0.12
0.08
0.06
0.04
0.02
Id = -3.7A
0.08
0.04
0.00
VGS = -4.5V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0
5
10
15
20
25
30
6
-VGS, Gate -to -Source Voltage ( V )
Fig 12. Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
-I D , Drain Current ( A )
Fig 13. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLML6402TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLML6402TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLML6402TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 20 V 1.3 W 8 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| IRLML9301TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLML9301TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V -3.6 A SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL, MOSFET, -30V, -3.6 A, SOT-23 |
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