参数资料
型号: IRLML6402TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
产品变化通告: (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 633pF @ 10V
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: Micro3?/SOT-23
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRLML6402TR
IRLML6402
IRLML6402-ND
IRLML6402CT
IRLML6402
100
VGS
TOP    -7.00V
-5.00V
-4.50V
-3.50V
-3.00V
-2.70V
-2.50V
BOTTOM -2.25V
100
VGS
TOP    -7.00V
-5.00V
-4.50V
-3.50V
-3.00V
-2.70V
-2.50V
BOTTOM -2.25V
10
-2.25V
10
-2.25V
1
0.1
1
20 μ s PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10            100
1
0.1
1
20 μ s PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10            100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
T J = 25 C
100
°
T J = 150 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = -3.7A
10
2.0
V DS = -15V
20 μ s PULSE WIDTH
3.0     4.0     5.0     6.0     7.0
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
8.0
V GS = -4.5V
0.0
-60 -40 -20 0 20  40  60  80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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