参数资料
型号: IRS2609DSPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 25/25页
文件大小: 0K
描述: IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC
标准包装: 95
配置: 半桥
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 750ns
电流 - 峰: 200mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 1382 (CN2011-ZH PDF)
IRS2609DSPbF
Revision History
Revision Date
1.5 03-17-08
1.6 03-17-08
Comments/Changed items
Added application note to include negative Vs curve
Added Qualification Information on Page 2, Disclaimer information on Page
25, and updated information on Pages 21-23
1.6a
1.7
03-21-08
04-18-08
May 8, 08
06-18-08
08-18-2009
www.irf.com
Removed revision letter from JEDEC standards under Qualification
Information table.
Added “RoHS compliant” statement to front page, Changed latch up level to
A, added MT parameter.
Changed file name from using revision to using date, Page1: corrected IGBT,
Page5: corrected p/n on lead assignment diagram to IRS2609DS
Corrected internal dead time on front page to 530ns instead of 540ns.
Removed reference to trapezoidal modulation in Integrated Bootstrap
Functionality section
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