- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299228 > IS61VPD10018-200BI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 1M X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IS61VPD10018-200BI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 |
| 封装： | PLASTIC, BGA-119 |
| 文件页数： | 13/24页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | IS61VPD10018-200BI |
20
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
ADVANCE INFORMATION
Rev. 00B
09/25/01
IS61VPD51232 IS61VPD51236 IS61VPD10018
ISSI
TAP Electrical Characteristics Over the Operating Range(1,2)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Units
VOH1
Output HIGH Voltage
IOH = –2.0 mA
1.7
—
V
VOH2
Output HIGH Voltage
IOH = –100 mA
2.1
—
V
VOL1
Output LOW Voltage
IOL = 2.0 mA
—
0.7
V
VOL2
Output LOW Voltage
IOL = 100 mA
—
0.2
V
VIH
Input HIGH Voltage
1.7
VCC +0.3
V
VIL
Input LOW Voltage
IOLT = 2mA
–0.3
0.7
V
IX
Input Load Current
GND
≤ V I ≤ VDDQ
–55
mA
Notes:
1. All Voltage referenced to Ground.
2. Overshoot: VIH (AC)
≤ VDD +1.5V for t
≤ tTCYC/2,
Undershoot:VIL (AC)
≤ 0.5V for t ≤ tTCYC/2,
Power-up: VIH < 2.6V and VDD < 2.4V and VDDQ < 1.4V for t < 200 ms.
TAP AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1) (OVER OPERATING RANGE)
Symbol Parameter
Min.
Max.
Unit
tTCYC
TCK Clock cycle time
100
—
ns
fTF
TCK Clock frequency
—
10
MHz
tTH
TCK Clock HIGH
40
—
ns
tTL
TCK Clock LOW
40
—
ns
tTMSS
TMS setup to TCK Clock Rise
10
—
ns
tTDIS
TDI setup to TCK Clock Rise
10
—
ns
tCS
Capture setup to TCK Rise
10
—
ns
tTMSH
TMS hold after TCK Clock Rise
10
—
ns
tTDIH
TDI Hold after Clock Rise
10
—
ns
tCH
Capture hold after Clock Rise
10
—
ns
tTDOV
TCK LOW to TDO valid
—
20
ns
tTDOX
TCK LOW to TDO invalid
0
—
ns
Notes:
7. tCS and tCHrefer to the set-up and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
8. Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. tR/tF = 1 ns.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62VV51216LL-70MI | 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48 |
| IS63LV1024-10K | 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32 |
| IS63LV1024-8KL | 128K X 8 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO32 |
| IS63LV1024L-8TI | 128K X 8 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO32 |
| IS80C31-20W | 8-BIT, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP40 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VPD102418A-200B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPD102418A-200B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPD102418A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPD102418A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPD102418A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。