参数资料
型号: IS61VPD10018-200BI
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: SRAM
英文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119
封装: PLASTIC, BGA-119
文件页数: 14/24页
文件大小: 168K
代理商: IS61VPD10018-200BI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
21
ADVANCE INFORMATION
Rev. 00B
09/25/01
IS61VPD51232 IS61VPD51236 IS61VPD10018
ISSI
DON'T CARE
UNDEFINED
TCK
TMS
TDI
TDO
tTHTL
tTLTH
tTHTH
tMVTH tTHMX
tDVTH tTHDX
1
2
3
4
5
6
tTLOX
tTLOV
TAP TIMING
20 pF
TDO
GND
50
1.25V
Z0 = 50
TAP Output Load Equivalent
TAP AC TEST CONDITIONS
Input pulse levels
0 to 2.5V
Input rise and fall times
1ns
Input timing reference levels
1.25V
Output reference levels
1.25V
Test load termination supply voltage
1.25V
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PDF描述
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参数描述
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IS61VPD102418A-200B3I 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VPD102418A-200B3I-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VPD102418A-200B3-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VPD102418A-200TQI 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray