型号: | IS61VPD10018-200BI |
厂商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分类: | SRAM |
英文描述: | 1M X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 |
封装: | PLASTIC, BGA-119 |
文件页数: | 6/24页 |
文件大小: | 168K |
代理商: | IS61VPD10018-200BI |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IS61VPD102418A-200B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61VPD102418A-200B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61VPD102418A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61VPD102418A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61VPD102418A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |