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参数资料
| 型号： | IS61VPD10018-200BI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 |
| 封装： | PLASTIC, BGA-119 |
| 文件页数： | 3/24页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | IS61VPD10018-200BI |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
11
ADVANCE INFORMATION
Rev. 00B
09/25/01
IS61VPD51232 IS61VPD51236 IS61VPD10018
ISSI
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS (Over Operating Range)
-200
-166
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
fMAX
Clock Frequency
—
200
—
166
MHz
tKC
Cycle Time
5
—
6
—
ns
tKH
Clock High Pulse Width
2
—
2.3
—
ns
tKL
Clock Low Pulse Width
2
—
2.3
—
ns
tKQ
Clock Access Time
—
3.1
—
3.5
ns
tKQX(1)
Clock High to Output Invalid
1.0
—
1.5
—
ns
tKQLZ(1,2)
Clock High to Output Low-Z
0
—
0
—
ns
tKQHZ(1,2)
Clock High to Output High-Z
—
3.1
—
3.5
ns
tOEQ
Output Enable to Output Valid
—
3.1
—
3.5
ns
tOELZ(1,2)
Output Enable to Output Low-Z
0
—
0
—
ns
tOEHZ(1,2)
Output Enable to Output High-Z
—
3.0
—
3.2
ns
tAS
Address Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tSS
Address Status Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tWS
Write Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tCES
Chip Enable Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tAVS
Address Advance Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tAH
Address Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tSH
Address Status Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tWH
Write Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tCEH
Chip Enable Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tAVH
Address Advance Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
Note:
1. Guaranteed but not 100% tested. This parameter is periodically sampled.
2. Tested with load in Figure 2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62VV51216LL-70MI | 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48 |
| IS63LV1024-10K | 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32 |
| IS63LV1024-8KL | 128K X 8 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO32 |
| IS63LV1024L-8TI | 128K X 8 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO32 |
| IS80C31-20W | 8-BIT, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP40 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VPD102418A-200B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPD102418A-200B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPD102418A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPD102418A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPD102418A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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