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参数资料
| 型号： | IS61VPD10018-200BI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 |
| 封装： | PLASTIC, BGA-119 |
| 文件页数： | 5/24页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | IS61VPD10018-200BI |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
13
ADVANCE INFORMATION
Rev. 00B
09/25/01
IS61VPD51232 IS61VPD51236 IS61VPD10018
ISSI
WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS (Over Operating Range)
-200
-166
Symbol Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
tKC
Cycle Time
5
—
6
—
ns
tKH
Clock High Pulse Width
2
—
2.3
—
ns
tKL
Clock Low Pulse Width
2
—
2.3
—
ns
tAS
Address Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tSS
Address Status Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tWS
Write Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tDS
Data In Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tCES
Chip Enable Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tAVS
Address Advance Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
tAH
Address Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tSH
Address Status Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tDH
Data In Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tWH
Write Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tCEH
Chip Enable Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
tAVH
Address Advance Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IS61VPD102418A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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