- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录459 > IXKF40N60SCD1 (IXYS)MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXKF40N60SCD1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5（3 引线） |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
IXKF 40N60SCD1
Series Schottky Diode D S
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I F25
I F90
T C = 25°C
T C = 90°C
77
45
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V F
V T0
r T
R thJC
R thJH
I F = 20 A; T C = 25°C
T C = 125°C
T VJ = 150°C
for power loss calculation only
with heatsink compound (IXYS test setup)
0.5
2.8
0.71
0.42
4.1
2.2
3.5
V
V
V
m W
K/W
K/W
Free Wheeling Diode D F
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I F25
I F90
T C = 25°C
T C = 90°C
40
23
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25°C, unless otherwise specified)
typ.
max.
V F
I F = 30 A; T C = 25°C
T C = 125°C
2.1
1.4
2.5
V
V
V T0
r T
I RM
t rr
T VJ = 150°C
for power loss calculation only
I F = 25 A; di F /dt = -400 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 380 V; V GE = 0 V
15
110
1.0
17.3
V
m W
A
ns
R thJC
R thJH
with heatsink compound (IXYS test setup)
2.3
1.8
2.5
K/W
K/W
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
V ISOL
F C
operating
storage
I ISOL = 1 mA, 50/60 Hz, t = 1 min
mounting force with clip
-40...+150
-40...+125
3000
20-120
°C
°C
V~
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
C P
d S , d A
d S , d A
Weight
coupling capacity between shorted
pins and mounting tab in the case
D pin - S pin
pin - backside metal
7
5.5
40
6
pF
mm
mm
g
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
20110201b
2-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKG25N80C | MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 |
| IXKH20N60C5 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| IXKH24N60C5 | MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD |
| IXKH30N60C5 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD |
| IXKH35N60C5 | MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKG25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH20N60C5 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH24N60C5 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH30N60C5 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH35N60C5 | 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。