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参数资料
| 型号： | IXKF40N60SCD1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5（3 引线） |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
IXKF 40N60SCD1
80
60
120
70
60
50
R G = 47 Ω
33 Ω
100
I F
50
40
I RM
40
30
22 Ω
10 Ω
t rr
80
60
t rr
[A]
30
20
10
0
0.0
T VJ =125°C
0.6
1.2
T VJ = 25°C
1.8
2.4
3.0
[A]
20
10
0
I RM
47 Ω
400
33 Ω
22 Ω
800
I F = 25 A
V R = 380 V
T VJ = 125°C
1200
40
20
0
1600
[ns]
V F [V]
Fig. 17 Typ. forward characteristics
of reverse diode
di F /dt [A/μs]
Fig. 18 Typ. reverse recovery characteristics of
antiparallel diode
60
6
35
50
R G = 10 Ω
V R = 380 V
5
30
I rr
[A]
40
30
20
T VJ = 125°C
I rr
Q rr
4
3
2
Q rr
[μC]
25
I F 20
[A] 15
10
T VJ = 125°C
150°C
10
1
5
T VJ = 25°C
0
0
10
20
30
40
50
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I F [A]
Fig. 19 Typ. reverse recovery characteristics
V F [V]
Fig. 20 Typ. forward characteristics of diode D S
0.5
0.4
MOSFET
2.5
2.0
Schottky Diode
FWD
Z thJH 0.3
[K/W] 0.2
0.1
Z thJH 1.5
[K/W] 1.0
0.5
0.0
1
10
100
t [ms]
1000
10000
0.0
1
10
100
t [ms]
1000
10000
Fig. 21 Typ. thermal impedance junction to heatsink
Z thJH of the MOSFET with heat transfer paste
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
Fig. 22 Typ. thermal impedance junction to heatsink
Z thJH of the Diodes with heat transfer paste
20110201b
7-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXKH20N60C5 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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