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参数资料
| 型号： | IXKF40N60SCD1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5（3 引线） |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
IXKF 40N60SCD1
ISOPLUS i4-PAC? Outline
E
A2
A
E1
b4
Dim.
A
A1
A2
b
b2
b4
c
D
D1
D2
D3
E
E1
Millimeter
min max
4.83 5.21
2.59
3.00
1.17
2.16
1.14
1.40
1.47
1.73
2.54
2.79
0.51
0.74
20.80
21.34
14.99
15.75
1.65
2.03
20.30
20.70
19.56
20.29
16.76
17.53
Inches
min max
0.190 0.205
0.102
0.118
0.046
0.085
0.045
0.055
0.058
0.068
0.100
0.110
0.020
0.029
0.819
0.840
0.590
0.620
0.065
0.080
0.799
0.815
0.770
0.799
0.660
0.690
e
e1
3.81 BSC
11.43 BSC
0.150 BSC
0.450 BSC
L
L1
19.81
2.11
21.34
2.59
0.780
0.083
0.840
0.102
1 2
5
c
A1
3x b
e1
e
3x b2
Q
R
W
5.33
2.54
-
6.20
4.57
0.10
0.210
0.100
-
0.244
0.180
0.004
Die konvexe Form des Substrates ist typ. < 0.05 mm über
W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
der Kunststoffoberfl?che der Bauteilunterseite
The convexbow of substrate is typ. < 0.05 mm over plastic
surface level ofdevice bottom side
20110201b
3-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXKH20N60C5 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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