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参数资料
| 型号： | IXKF40N60SCD1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5（3 引线） |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
IXKF 40N60SCD1
15
I D = 47 A
pulsed
100
Schottky Diode
12
0.2 V DS max
0.8 V DS max
80
V GS
9
I D
60
Free Wheeling Diode
[V]
6
3
[A] 40
20
MOSFET
0
0
40
80 120 160 200 240 280 320 360
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Q G [nC]
Fig.11 Gate charge characteristic
T C [°C]
Fig. 12 Drain current I D vs. case temperature T C
1.6
80
1.2
600
E on
[mJ]
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
R G = 10 Ω
V DS = 380 V
V GS = 10 V
T VJ = 125°C
td(on)
tr
70
60
50
40
30
20
t
[ns]
E off
[mJ]
1.0
0.8
0.6
0.4
R G = 10 Ω
V DS = 380 V
V GS = 10 V
T VJ = 125°C
td (off)
500
400
t
300 [ns]
200
0.2
Eon
10
0.2
tf
100
0.0
Erec boost
0 10
20
30
I D [A]
40
0
50
0.0
Eoff
0
10
20
30
I D [A]
40
50
0
60
Fig. 13 Typ. turn-on energy & switching times
vs. collector current, inductive switching
Fig. 14 Typ. turn-off energy & switching times
vs. collector current, inductive switching
E off
t
E on ,
E rec
[mJ]
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I D = 25 A
V DS = 380 V
V GS = 10 V
T VJ = 125°C
Eon
2x
Erec boost
td(on)
tr
160
140
120
100
t
80 [ns]
60
40
20
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
[mJ] 0.8
0.6
0.4
0.2
I D = 25 A
V DS = 380 V
V GS = 10 V
T VJ = 125°C
Eoff
td(off)
10x tf
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800 [ns]
600
400
200
0.0
0
10
20 30
R G [ Ω ]
40
0
50
0.0
0
10
20
30
R G [ Ω ]
40
0
50
Fig. 15 Typ. turn-on energy & switching times
vs. gate resistor, inductive switching
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
Fig. 16
Typ. turn-off energy & switching times
vs. gate resistor, inductive switching
20110201b
6-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXKH20N60C5 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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