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参数资料
| 型号： | IXKF40N60SCD1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5（3 引线） |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
IXKF 40N60SCD1
I D
[A]
240
I D = f (V DS ); T J = 25°C
t P = 10 μs, V GS
I D
[A]
140
I D = f (V DS ); T J = 150°C
t P = 10 μs, V GS
4V
V DS [V]
Fig. 7 Typical output characteristic
(MOSFET only)
V DS [V]
Fig. 8 Typical output characteristic
(MOSFET only)
R DS(on) = f (T J )
I D = 47 A, V GS = 10 V
4V
R DS(on) = f (I D )
T J = 150°C, V GS
R DS(on)
[ ? ]
140
T J [°C]
Fig. 9 Drain source on-state resistance R DS(on)
versus junction temperature T J
(MOSFET only)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
R DS(on)
[ ? ]
I D [A]
Fig. 10 Drain source on-state
resistance R DS(on) versus I D
(MOSFET only)
140
20110201b
5-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKG25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH20N60C5 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH24N60C5 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH30N60C5 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH35N60C5 | 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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