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参数资料
| 型号： | M28W640ECT70ZB1E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 14/54页 |
| 文件大小： | 957K |
| 代理商： | M28W640ECT70ZB1E |
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M28W640ECT, M28W640ECB
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC characteristics Tables that follow, are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment
Conditions
summarized
in
Table
Operating and AC Measurement Conditions. De-
signers should check that the operating conditions
in their circuit match the measurement conditions
when relying on the quoted parameters.
Table 13. Operating and AC Measurement Conditions
Note: 1. To be characterized.
Figure 7. AC Measurement I/O Waveform
Figure 8. AC Measurement Load Circuit
Table 14. Capacitance
Note: Sampled only, not 100% tested.
M28W640ECT, M28W640ECB
Parameter
70(1)
85
90
10
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
VDD Supply Voltage
3.0
3.6
3.0
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
V
VDDQ Supply Voltage (VDDQ ≤
VDD)
1.65
3.6
1.65
3.6
1.65
3.6
1.65
3.6
V
Ambient Operating Temperature
– 40
85
– 40
85
– 40
85
– 40
85
°C
Load Capacitance (CL)
50
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Voltages
0 to VDDQ
V
Input and Output Timing Ref.
Voltages
VDDQ/2
V
AI00610
VDDQ
0V
VDDQ/2
AI00609C
VDDQ
CL
CL includes JIG capacitance
25k
DEVICE
UNDER
TEST
0.1F
VDD
0.1F
VDDQ
25k
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
6pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0V
12
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W640ECT85N1E | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48 |
| M29W040B70N1E | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040B70N1F | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040B70N6E | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040B70N6F | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W640ECT70ZB6 | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640ECT70ZB6T | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70N6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M28W640FCB70N6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70N6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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