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参数资料
型号： M28W640ECT70ZB1E
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： PROM
英文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
封装： 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
文件页数： 6/54页
文件大小： 957K
代理商： M28W640ECT70ZB1E
M28W640ECT, M28W640ECB
14/54
locked-down) state when the device is reset on
power-down. Table. 10 shows the protection sta-
tus after issuing a Block Lock-Down command.
Refer to the section, Block Locking, for a detailed
explanation.
Table 4. Commands
Note: 1. X = Don’t Care, RA=Read Address, RD=Read Data, SRD=Status Register Data, ID=Identifier (Manufacture and Device Code),
QA=Query Address, QD=Query Data, BA=Block Address, PA=Program Address, PD=Program Data, PRA=Protection Register Ad-
dress, PRD=Protection Register Data.
2. The signature addresses are listed in Tables 5, 6 and 7.
3. Program Addresses 1 and 2 must be consecutive Addresses differing only for A0.
4. Program Addresses 1,2,3 and 4 must be consecutive Addresses differing only for A0 and A1.
5. To be characterized.
Table 5. Read Electronic Signature
Note:
RP = VIH.
Commands
Cy
c
les
Bus Write Operations
1st Cycle
2nd Cycle
3rd Cycle
4th Cycle
5th Cycle
Op. Add Data
Op.
Add Data Op.
Add Data
Op. Add Data
Read Memory
Array
1+ Write
X
FFh
Read
RA
RD
Read Status
Register
1+ Write
X
70h
Read
X
SRD
Read Electronic
Signature
1+ Write
X
90h
Read SA(2)
IDh
Read CFI Query
1+ Write
X
98h
Read
QA
QD
Erase
2
Write
X
20h
Write
BA
D0h
Program
2
Write
X
40h or
10h
Write
PA
PD
Double Word
Program(3)
3
Write
X
30h
Write
PA1
PD1
Write
PA2
PD2
Quadruple Word
Program(4)
5Write
X
56h(5) Write
PA1
PD1
Write
PA2
PD2
Write
PA3
PD3 Write
PA4
PD4
Clear Status
Register
1
Write
X
50h
Program/Erase
Suspend
1Write
X
B0h
Program/Erase
Resume
1Write
X
D0h
Block Lock
2
Write
X
60h
Write
BA
01h
Block Unlock
2
Write
X
60h
Write
BA
D0h
Block Lock-Down
2
Write
X
60h
Write
BA
2Fh
Protection
Register Program
2Write
X
C0h
Write
PRA
PRD
Code
Device
E
G
W
A0
A1
A2-A7
A8-A21
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
Manufacture
Code
VIL
VIH
VIL
0
Don’t Care
20h
00h
Device Code
M28W640ECT
VIL
VIH
VIL
0
Don’t Care
48h
88h
M28W640ECB
VIL
VIH
VIL
0
Don’t Care
49h
88h
相关PDF资料
PDF描述
M28W640ECT85N1E 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48
M29W040B70N1E 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B70N1F 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B70N6E 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B70N6F 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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参数描述
M28W640ECT70ZB6 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M28W640ECT70ZB6T 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M28W640FCB70N6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
M28W640FCB70N6E 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M28W640FCB70N6F 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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