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参数资料
| 型号： | M28W640ECT70ZB1E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 39/54页 |
| 文件大小： | 957K |
| 代理商： | M28W640ECT70ZB1E |
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M28W640ECT, M28W640ECB
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Figure 18. Double Word Program Flowchart and Pseudo Code
Note: 1. Status check of b1 (Protected Block), b3 (VPP Invalid) and b4 (Program Error) can be made after each program operation or after
a sequence.
2. If an error is found, the Status Register must be cleared before further Program/Erase operations.
3. Address 1 and Address 2 must be consecutive addresses differing only for bit A0.
Write 30h
AI03539b
Start
Write Address 1
& Data 1 (3)
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
NO
b4 = 0
VPP Invalid
Error (1, 2)
Program
Error (1, 2)
YES
End
YES
NO
b1 = 0
Program to Protected
Block Error (1, 2)
Write Address 2
& Data 2 (3)
double_word_program_command (addressToProgram1, dataToProgram1,
addressToProgram2, dataToProgram2)
{
writeToFlash (any_address, 0x30) ;
writeToFlash (addressToProgram1, dataToProgram1) ;
/*see note (3) */
writeToFlash (addressToProgram2, dataToProgram2) ;
/*see note (3) */
/*Memory enters read status state after
the Program command*/
do {
status_register=readFlash (any_address) ;
/* E or G must be toggled*/
} while (status_register.b7== 0) ;
if (status_register.b3==1) /*VPP invalid error */
error_handler ( ) ;
if (status_register.b4==1) /*program error */
error_handler ( ) ;
if (status_register.b1==1) /*program to protect block error */
error_handler ( ) ;
}
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W640ECT85N1E | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48 |
| M29W040B70N1E | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040B70N1F | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040B70N6E | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040B70N6F | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W640ECT70ZB6 | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640ECT70ZB6T | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70N6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M28W640FCB70N6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70N6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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