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参数资料
| 型号： | M28W640ECT70ZB1E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 35/54页 |
| 文件大小： | 957K |
| 代理商： | M28W640ECT70ZB1E |
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M28W640ECT, M28W640ECB
40/54
Table 29. Device Geometry Definition
Offset Word
Mode
Data
Description
Value
27h
0017h
Device Size = 2n in number of bytes
8 MByte
28h
29h
0001h
0000h
Flash Device Interface Code description
x16
Async.
2Ah
2Bh
0003h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2n
8
2Ch
0002h
Number of Erase Block Regions within the device.
It specifies the number of regions within the device containing contiguous
Erase Blocks of the same size.
2
M
28W6
40EC
T
2Dh
2Eh
007Eh
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 007Eh+1
127
2Fh
30h
0000h
0001h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0100h * 256 byte
64 KByte
31h
32h
0007h
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
33h
34h
0020h
0000h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0020h * 256 byte
8 KByte
M
28W6
40EC
B
2Dh
2Eh
0007h
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
2Fh
30h
0020h
0000h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0020h * 256 byte
8 KByte
31h
32h
007Eh
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 007Eh=1
127
33h
34h
0000h
0001h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0100h * 256 byte
64 KByte
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W640ECT85N1E | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48 |
| M29W040B70N1E | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040B70N1F | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040B70N6E | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040B70N6F | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W640ECT70ZB6 | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640ECT70ZB6T | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70N6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M28W640FCB70N6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70N6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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