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参数资料
| 型号： | MAX17409GTI+T |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 4/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR NVIDIA CPU 28-TQFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | Quick-PWM™ |
| 应用： | 处理器 |
| 电流 - 电源： | 1.5mA |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 28-TQFN-EP（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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1-Phase Quick-PWM GPU Controller
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(Circuit of Figure 1, V IN = 12V, V DD = V CC = 5V, SHDN = ILIM = V CC , SKIP = GNDS = PGND = GND, V FB = V CSP = V CSN = 1.05V;
G5–G0 set for 1.05V (G0–G5 = 100110); T A = 0 ° C to +85 ° C , unless otherwise specified. Typical values are at T A = +25°C.) (Note 3)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
THERMAL COMPARATOR AND PROTECTION
VRHOT Trip Threshold
Measured at THRM with respect to V CC ;
falling edge; typical hysteresis = 100mV
29.2
30
30.8
%
VRHOT Delay
VRHOT Output On-Resistance
t VRHOT
R VRHOT
THRM forced 25mV below the VRHOT trip
threshold; falling edge
Low state
10
2
8
μs
VRHOT Leakage Current
I VRHOT
High state, VRHOT forced to 5V, T A = +25 ° C
1
μA
THRM Input Leakage
Thermal-Shutdown Threshold
I THRM
T SHDN
V THRM = 0 to 5V, T A = +25 ° C
Typical hysteresis = 15 ° C
-100
160
+100
nA
° C
VALLEY CURRENT LIMIT AND DROOP
Current-Limit Threshold Voltage
(Positive Adjustable)
V LIMIT
V CSP - V CSN
V REF - V ILIM = 100mV
V REF - V ILIM = 500mV
7
45
10
50
13
55
mV
Current-Limit Threshold Voltage
(Positive Default)
Current-Limit Threshold Voltage
(Negative) Accuracy
Current-Limit Threshold Voltage
(Zero Crossing)
CSP, CSN Common-Mode
Input Range
CSP, CSN Input Current
ILIM Input Current
Droop Amplifier (GMD) Offset
Droop Amplifier (GMD)
Transconductance
ILIM = V CC , V CSP - V CSN
V LIMIT(NEG) V CSP - V CSN , nominally -125% of V LIMIT
V ZERO
V PGND - V LX
T A = +25°C
T A = +25°C
(V CSP - V CSN ) at I FB = 0
I FB / (V CSP - V CSN );
FB = CSN = 0.45V to 2.0V,
and (V CSP - V CSN ) = -15.0mV to +15.0mV
20
-4
0
-0.2
-100
-0.75
592
22.5
1
600
25
+4
1.9
+0.2
+100
+0.75
608
mV
mV
mV
V
μA
nA
mV
μS
GATE DRIVERS
DH Gate-Driver On-Resistance
R ON(DH)
BST - LX forced
to 5V
High state (pullup)
Low state (pulldown)
0.9
0.7
2.5
2.0
DL Gate-Driver On-Resistance
R ON(DL)
High state (pullup)
Low state (pulldown)
0.7
0.25
2.0
0.7
DH Gate-Driver Source Current
I DH(SOURCE) DH forced to 2.5V, BST - LX forced to 5V
2.2
A
DH Gate-Driver Sink Current
I DH(SINK)
DH forced to 2.5V, BST - LX forced to 5V
2.7
A
DL Gate-Driver Source Current
I DL(SOURCE) DL forced to 2.5V
2.7
A
DL Gate-Driver Sink Current
Internal BST Switch
On-Resistance
I DL(SINK)
R BST
DL forced to 2.5V
I BST = 10mA, V DD = 5V
8
10
20
A
4
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