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参数资料
| 型号： | MC68HC908RK2DW |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 4 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO20 |
| 封装： | PLASTIC, SOIC-20 |
| 文件页数： | 62/158页 |
| 文件大小： | 1020K |
| 代理商： | MC68HC908RK2DW |
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Electrical Specifications
MC68HC908RK2 Data Sheet, Rev. 5.1
154
Freescale Semiconductor
13.11 Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
RAM data retention voltage
VRDR
1.3
—
V
FLASH pages per row
—
8
—
8
Pages
FLASH bytes per page
—
1
—
1
Bytes
FLASH read bus clock frequency
fRead
(1)
1. fREAD is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
32 K
—
2.5 M
Hz
FLASH charge pump clock frequency
fPump
(2)
2.
fPump is defined as the charge pump clock frequency required for program, erase, and margin read operations.
1.8
—
2.5
MHz
FLASH block/bulk erase time
tErase
30
—
ms
FLASH high voltage kill time
tKill
200
—
ms
FLASH return to read time
tHVD
50
—
ms
FLASH page program pulses
flsPulses
(3)
3.
flsPulses is defined as the number of pulses used to program the FLASH using the required smart program algorithm.
—
10
Pulses
FLASH page program step size
tStep
(4)
4.
tStep is defined as the amount of time during one page program cycle that HVEN is held high.
1.0
—
1.2
ms
FLASH cumulative program time per row between erase
cycles
tRow
(5)
5.
tRow is defined as the cumulative time a row can see the program voltage before the row must be erased before further
programming.
——
8
Page
program
cycles
FLASH HVEN low to MARGIN high time
tHVTV
50
—
ms
FLASH MARGIN high to PGM low time
tVTP
150
—
ms
FLASH 2TS row program endurance(6)
6. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH 2TS memory is guaranteed to work for at least this
many erase/program cycles.
—
104
-—
Cycles
FLASH data retention time(7)
7. The FLASH is guaranteed to retain data over the entire temperature range for at least the minimum time specified.
—
15
100
-—
Years
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PDF描述 |
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