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参数资料
| 型号： | MMDFS6N303R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Dec/2003 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MMDFS6N303R2OS |
MMDFS6N303
TYPICAL FET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
12
12
10 V
4.5 V
3.9 V
T J = 25 ° C
V DS ≥ 10 V
10
10
8.0
3.5 V
8.0
6.0
4.0
2.0
0
3.3 V
V GS = 2.9 V
6.0
4.0
2.0
0
25 ° C
125 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
0.3
0.2
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
T J = 25 ° C
I D = 6.0 A
0.05
0.04
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.1
0
0.03
0.02
10 V
2.0
4.0
6.0
8.0
10
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
1.8
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
V GS = 10 V
I D = 6.0 A
1000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
1.0
0.6
0.2
100
10
1.0
T J = 125 ° C
100 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
5.0
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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