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参数资料
| 型号： | MMDFS6N303R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Dec/2003 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MMDFS6N303R2OS |
MMDFS6N303
TYPICAL FET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1200
C iss
V DS = 0
V GS = 0
T J = 25 ° C
12
10
Q T
30
1000
800
C rss
8.0
Q1
Q2
V GS
20
600
6.0
400
C iss
4.0
I D = 5.0 A
10
200
0
C oss
C rss
2.0
0
Q3
V DS
T J = 25 ° C
0
?10
? 5.0
0
5.0
10
15
20
25
30
0
4.0
8.0
12
16
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
1000
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
5.0
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage versus Total Charge
V GS = 0 V
100
t d(off)
t f
t r
4.0
3.0
2.0
T J = 25 ° C
10
t d(on)
1.0
1.0
0
1.0
10
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
Mounted on 2 ″ sq. FR4 board (1 ″ sq. 2 oz. Cu 0.06 ″ thick single sided)
350
10
with one die operating,
10 s max.
10 ms
1.0 ms
300
250
I D = 6.0 A
200
1.0
V GS = 12 V
SINGLE PULSE
dc
150
T C = 25 ° C
0.1
0.01
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
100
50
0
0.1
1.0
10
100
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMFT5P03HDT1 | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 |
| MMFT960T1 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223 |
| MMG3002NT1 | IC AMP RF GP 3600MHZ 5.2V SOT-89 |
| MMG3006NT1 | TRANS GPA 33DBM 16-QFN |
| MMG3007NT1 | IC AMP RF GP 6000MHZ 5V SOT-89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDJ3N03BJT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Power Transistors SO−8 for Surface Mount Applications |
| MMDJ3P03BJT | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR PNP SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES |
| MMDJ-65608EV-30 | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
| MMDJ-65608EV-30-E | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
| MMDJ-65608EV-45 | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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