- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录91 > MRF1518NT1 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH PLD-1.5 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF1518NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/19页 |
| 文件大小： | 721K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 4A |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF1518NT1DKR |
MRF1518NT1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 1. 450 - 520 MHz Broadband Test Circuit
VDD
+C6
R4
C7
C5
R3
RF
INPUT
RF
OUTPUT
Z2 Z3
Z6
C1
C3
C12
DUT
Z7
Z9
Z10
Z4
Z5
L1
Z8
N2
C16
B2
N1
C11
C10
B1, B2 Short Ferrite Beads, Fair Rite Products
(2743021446)
C1, C12 240 pF, 100 mil Chip Capacitors
C2, C3, C10, C11 0 to 20 pF Trimmer Capacitors
C4 82 pF, 100 mil Chip Capacitor
C5, C16 120 pF, 100 mil Chip Capacitors
C6, C13 10 μF, 50 V Electrolytic Capacitors
C7, C14 1,200 pF, 100 mil Chip Capacitors
C8, C15 0.1 F, 100 mil Chip Capacitors
C9 30 pF, 100 mil Chip Capacitor
L1 55.5 nH, 5 Turn, Coilcraft
N1, N2 Type N Flange Mounts
R1 15 Ω
Chip Resistor (0805)
R2 51 Ω, 1/2 W Resistor
R3 10 Ω
Chip Resistor (0805)
R4 33 kΩ, 1/8 W Resistor
Z1 0.451″
x 0.080
″
Microstrip
Z2 1.005″
x 0.080
″
Microstrip
Z3 0.020″
x 0.080
″
Microstrip
Z4 0.155″
x 0.080
″
Microstrip
Z5, Z6 0.260″
x 0.223
″
Microstrip
Z7 0.065″
x 0.080
″
Microstrip
Z8 0.266″
x 0.080
″
Microstrip
Z9 1.113″
x 0.080
″
Microstrip
Z10 0.433″
x 0.080
″
Microstrip
Board Glass Teflon?, 31 mils, 2 oz. Copper
Z1
C2
R1
C4
VGG
+C13
C8
B1
R2
C14
C15
C9
TYPICAL CHARACTERISTICS, 450 - 520 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
?5
?15
?20
?10
2
0
0
467981011
1
Figure 2. Output Power versus Input Power
Pin, INPUT POWER (WATTS)
2
Figure 3. Input Return Loss
versus Output Power
0.3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
0
6
0.4 0.60.5
0.1
4
520 MHz
470 MHz
500 MHz
0.2
0
12
450 MHz
3
520 MHz
470 MHz
500 MHz
450 MHz
10
8
5
VDD
= 12.5 Vdc
VDD
= 12.5 Vdc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1535NT1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 WRAP |
| MRF1550FNT1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 |
| MRF1570NT1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 WRAP |
| MRF18030ALSR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
| MRF18060ALR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1518NT1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF1518NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF1518T1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF151A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF151G | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。