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参数资料
| 型号： | MRF1518NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/19页 |
| 文件大小： | 721K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 4A |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF1518NT1DKR |
MRF1518NT1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
100 120 140 160 180 200
210
109
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
108
106
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
90 110 130 150 170 190
Figure 37. MTTF Factor versus Junction Temperature
107
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1535NT1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 WRAP |
| MRF1550FNT1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 |
| MRF1570NT1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 WRAP |
| MRF18030ALSR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
| MRF18060ALR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1518NT1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF1518NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF1518T1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF151A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF151G | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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