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参数资料
| 型号： | MRF1518NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 18/19页 |
| 文件大小： | 721K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 4A |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF1518NT1DKR |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1518NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 400 - 470 MHz
440 MHz
041
2
3
51012687
9
11
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
0
70
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
30
60
40
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 22. Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
7
5
13
Figure 23. Drain Efficiency versus Output
Power
2
GAIN (dB)
0
Figure 24. Output Power versus
Biasing Current
12
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
0
Figure 25. Drain Efficiency versus
Biasing Current
70
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
45
Figure 26. Output Power versus
Supply Voltage
2
8
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 27. Drain Efficiency versus
Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
30
91610 14 1511
8
91011 1613 14
15
12
12
0
60
70
60
30
400
0
5
12
600 1000800
80
2
6
4
9
17
200
50
4
11
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
200 1000400 600
800
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
13
3
1
65
55
3
4
7
8
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
65
75
55
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
400 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 26.8 dBm
IDQ
= 150 mA
Pin
= 26.8 dBm
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 26.8 dBm
IDQ
= 150 mA
Pin
= 26.8 dBm
15
687
9
10 1211
5
20
10
80
10
8
40
35
6
10
11
9
50
45
40
35
VDD
= 12.5 Vdc
VDD
= 12.5 Vdc
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