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参数资料
| 型号： | MRF1518NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 721K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 4A |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF1518NT1DKR |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1518NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 820 - 850 MHz
2
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
0
70
4
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
30
60
40
3
1
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 13. Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
7
5
13
Figure 14. Drain Efficiency versus Output
Power
2
GAIN (dB)
1
Figure 15. Output Power versus
Biasing Current
12
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
0
Figure 16. Drain Efficiency versus
Biasing Current
70
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 17. Output Power versus
Supply Voltage
2
8
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Drain Efficiency versus
Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
91610 14 1511
30
8
91011 1613 14
15
12
12
0
60
70
60
0
400
0
5
12
600 1000800
80
2
6
4
9
17
200
50
4
11
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
200 1000400 600
800
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
13
3
3
4
7
8
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
65
75
55
15
687
9
10 1211
5
20
10
80
51012687
9
11
10
8
40
6
10
11
9
50
45
40
35
820 MHz
830 MHz
840 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
850 MHz
820 MHz
830 MHz
840 MHz
850 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
30
20
10
VDD
= 12.5 Vdc
820 MHz
830 MHz
840 MHz
850 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
820 MHz
830 MHz
840 MHz
850 MHz
820 MHz
830 MHz
840 MHz
850 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
820 MHz
830 MHz
840 MHz
850 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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