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参数资料
| 型号： | MRF1518NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/19页 |
| 文件大小： | 721K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 4A |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF1518NT1DKR |
MRF1518NT1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zin
= Complex conjugate of source
impedance with parallel 15 Ω
resistor and 43 pF capacitor in
series with gate. (See Figure 28).
ZOL* = Complex conjugate of the load
impedance at given output power,
voltage, frequency, and ηD
> 50 %.
Note: ZOL* was chosen based on tradeoffs between gain, drain efficiency, and device stability.
Figure 38. Series Equivalent Input and Output Impedance (continued)
Zo
= 10
Ω
Zin
= Complex conjugate of source
impedance with parallel 15 Ω
resistor and 47 pF capacitor in
series with gate. (See Figure 19).
ZOL* = Complex conjugate of the load
impedance at given output power,
voltage, frequency, and ηD
> 50 %.
f
MHz
Zin
Ω
ZOL*
Ω
400 4.28 +j2.36 4.41 +j0.67
VDD
= 12.5 V, I
DQ
= 150 mA, P
out
= 8 W
440 6.45 +j5.13 4.14 +j2.53
470 5.91 +j3.34 3.92 +j4.02
f
MHz
Zin
Ω
ZOL*
Ω
135 18.31 -j0.76 8.97 +j2.62
VDD
= 12.5 V, I
DQ
= 150 mA, P
out
= 8 W
155 17.72 +j1.85 9.69 +j2.81
175 18.06 +j5.23 7.94 +j1.14
f = 135 MHz
175
Zin
ZOL*
135
f = 175 MHz
f = 470 MHz
Zin
400
ZOL*
400
f = 470 MHz
Zin
ZOL*
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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