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参数资料
| 型号： | MRF21085LSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 606K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 13.6dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 19W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF21085LR3 MRF21085LSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
14.5
12.5
13
13.5
14
10
4
Figure 9. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 10. Two-Tone Broadband Performance
10
15
20
25
30
35
40
-- 4 0
-- 3 5
-- 3 0
-- 2 5
-- 2 0
-- 1 5
-- 1 0
2095 2110 2125 2140 2155 2170 2185
IDQ
= 1300 mA
1150 mA
700 mA
G
ps
, POWER GAIN (dB),
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
η
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
IRL
IDQ
= 1000 mA
10 MHz Tone Spacing
Figure 11. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
-- 2 0
0.1 1 3010
Δf, TONE SPACING (kHz)
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
-- 5 0
-- 5 5
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
=28Vdc
IDQ
= 1000 mA
f = 2140 MHz
VDD
=28Vdc
Pout
= 90 W (PEP)
100
1000 mA
850 mA
VDD
=28Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
7th Order
5th Order
3rd Order
-- 2 5
IMD
Gps
Figure 12. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
3.84 MHz
Channel BW
-- I M 3 i n
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
--ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
(dB)
+20
+30
0
-- 1 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 2 0
--25 2551510
20
0
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 3 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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