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参数资料
| 型号： | MRF21085LSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 606K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 13.6dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 19W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF21085LR3 MRF21085LSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TC
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
(continued)
Two--Tone Common--Source Amplifier Power Gain
(VDD
=28Vdc,Pout
= 90 W PEP, IDQ
= 1000 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
Gps
?
13.6
?
dB
Two--Tone Drain Efficiency
(VDD
=28Vdc,Pout
= 90 W PEP, IDQ
= 1000 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
η
?
36
?
%
Two--Tone Intermodulation Distortion
(VDD
=28Vdc,Pout
= 90 W PEP, IDQ
= 1000 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IMD
?
-- 3 1
?
dBc
Input Return Loss
(VDD
=28Vdc,Pout
= 90 W PEP, IDQ
= 1000 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IRL
?
-- 1 2
?
dB
Pout, 1 dB Compression Point
(VDD
=28Vdc,IDQ
= 1000 mA, f = 2170 MHz)
P1dB
?
100
?
W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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